IRENE BURAIOLI

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Dottorando - Dottorando interateneo (Unito)

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An accurate electro-thermal model of SiC power MOSFETs for fast simulations. Sta in: 2018 IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT), Lyon, France, 19-22 February, 2018, pp. 623-628. ISBN: 978-1-5090-5949-2